Intel 1103 - Intel 1103
 Keramická varianta C1103.
| |
| Typ média | 8 μm p -MOS DRAM |
|---|---|
| Kapacita | 1 kilobit |
| Standard | 18kolíkový DIP |
| vyvinuty by | Intel |
| Používání | Řada HP 9800 , PDP-11 a další |
| Uvolněno | Říjen 1970 |
| Přerušeno | 1979 |
Model 1103 je integrovaný obvod (IC) s dynamickou pamětí s náhodným přístupem (DRAM ) vyvinutý a vyrobený společností Intel . Model 1103, představený v říjnu 1970, byl prvním komerčně dostupným procesorem DRAM IC; a kvůli své malé fyzické velikosti a nízké ceně ve srovnání s pamětí s magnetickým jádrem ji v mnoha aplikacích nahradil. Když byl zaveden v roce 1970, počáteční výnosy z výroby byly nízké a až v pátém kroku výrobních masek byla ve velkém množství k dispozici v průběhu roku 1971.
Rozvoj
V roce 1969 William Regitz a jeho kolegové z Honeywell vynalezl tří- tranzistor dynamické paměťové buňky a začal shánějí polovodičového průmyslu pro výrobce. Nedávno založená společnost Intel Corporation reagovala a vyvinula dva velmi podobné 1024bitové čipy, 1102 a 1103, pod vedením Joela Karpa , který úzce spolupracoval s Williamem Regitzem. Nakonec se do výroby dostala pouze 1103.
Společnost Microsystems International se stala prvním druhým zdrojem pro 1103 v roce 1971. Později společnost 1103 vyrobila také společnost National Semiconductor , Signetics a Synertek .
Technické údaje
| t RWC | 580 ns | Náhodný čas cyklu čtení nebo zápisu (od jedné + hrany před nabíjením k další) |
| t PO | 300 ns | Přístupová doba: Předplatit vysoké na platná data ven |
| t REF | 2 ms | Obnovit čas |
| V CC | 16 V | Napájecí napětí |
| p -MOS | 8 μm | Výrobní proces ( křemíková brána MOSFET ) |
| Kapacita | 1024x1 | Kapacita x šířka sběrnice |
Reference
 |
Tento článek týkající se inženýrství je útržek . Wikipedii můžete pomoci rozšířením . |